作為與“德國工業(yè)4.0”的對標,《中國制造2025》對我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級和跨越發(fā)展作了整體部署,提出了我國制造業(yè)由大變強“三步走”戰(zhàn)略目標,明確了建設(shè)制造強國的戰(zhàn)略任務和重點,是我國實施制造強國戰(zhàn)略的第一個十年行動綱領(lǐng)。
為了確保用十年的時間,到2025年,邁入制造強國行列,必須堅持整體推進、重點突破。《中國制造2025》圍繞經(jīng)濟社會發(fā)展和國家安全重大需求,選擇10大優(yōu)勢和戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)作為突破點,力爭到2025年達到國際領(lǐng)先地位或國際先進水平。十大重點領(lǐng)域是:新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、高檔數(shù)控機床和機器人、航空航天裝備、海洋工程裝備及高技術(shù)船舶、先進軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電力裝備、農(nóng)業(yè)裝備、新材料、生物醫(yī)藥及高性能醫(yī)療器械。
為指明十大重點領(lǐng)域的發(fā)展趨勢、發(fā)展重點,引導企業(yè)的創(chuàng)新活動,國家制造強國建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會特組織編制了這些領(lǐng)域的技術(shù)路線圖,匯總成冊,稱為“《中國制造2025》重點領(lǐng)域技術(shù)路線圖”。
電力電子作為現(xiàn)代能源變換的核心部件和關(guān)鍵技術(shù),在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、節(jié)能與新能源、國防安全以及國計民生各個方面均發(fā)揮著不可替代的作用。因此在《中國制造2025》中,電力電子也被正式作為發(fā)展重點。在最近發(fā)布的“《中國制造2025》重點領(lǐng)域技術(shù)路線圖”中,電力電子的內(nèi)容主要體現(xiàn)在以下章節(jié):
五、先進軌道交通裝備
5.1先進軌道交通裝備
5.1.3發(fā)展重點
2.關(guān)鍵零部件
(1)功率半導體器件。重點突破硅基IGBT、MOSFET等先進的功率半導體器件芯片的技術(shù)瓶頸,推進國產(chǎn)硅基器件的應用和產(chǎn)業(yè)發(fā)展;推進碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等下一代功率半導體器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
(2)動力型超級電容器件。研制12000F、3.0V、10Wh/kg、100萬次充放的大功率、高能量、長壽命、高安全、免維護超級電容單元器件,推進城市公共交通儲能式電力牽引技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。
3. 關(guān)鍵共性技術(shù)
(3)電傳動系統(tǒng)技術(shù)。完成碳化硅電力電子器件的研發(fā)與應用,推進饋能式雙向變流技術(shù)的應用;推廣永磁電機驅(qū)動技術(shù)與無齒輪直驅(qū)技術(shù)。
(4)儲能與節(jié)能技術(shù)。加快大能量密度的超級電容的研制,利用超級電容優(yōu)異的充放電性能,實現(xiàn)有軌電車、無軌電車全線無供電網(wǎng)運營和能量可循環(huán)利用運營。
九、 新材料
9.2 關(guān)鍵戰(zhàn)略材料
9.2.3 發(fā)展重點
8.先進半導體材料
(1)第三代半導體單晶襯底
6-8英寸SiC、4-6英寸GaN、2-3英寸AlN單晶襯底制備技術(shù);可生產(chǎn)大尺寸、高質(zhì)量第三代半導體單晶襯底的國產(chǎn)化裝備。
(2)第三代半導體光電子器件、模塊及應用
200 lm/W以上光效的LED外延和芯片制備技術(shù);50mW以上AlGaN基紫外LED。
(3)第三代半導體電力電子器件、模塊及應用
15kV以上SiC電力電子器件制備關(guān)鍵技術(shù);高質(zhì)量、低成本GaN電力電子器件的設(shè)計與制備;在高壓電網(wǎng)、高速軌道交通、消費類電子產(chǎn)品、新能源汽車、新一代通用電源等領(lǐng)域的應用。
我們欣喜地看到,電力電子在事關(guān)國家戰(zhàn)略的綱領(lǐng)性文件中被明確作為發(fā)展重點,這與近些年來業(yè)界專家積極建言獻策以及電力電子產(chǎn)業(yè)取得長足發(fā)展密不可分。但同時,我們也應該清醒地認識到:相較于集成電路,電力電子在文件中份量仍很輕。在“一、新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”一章中, “1.1集成電路及專用設(shè)備”是作為專門的一節(jié)重點闡述的,而電力電子的內(nèi)容卻分散于幾個章節(jié),沒有給予系統(tǒng)支持。
在11月6日于重慶召開的“中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會2015 年年會暨七屆二次理事會議”上,分會常務副理事長、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長、中國寬禁帶功率半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長肖向鋒先生表示:“電力電子的內(nèi)容分散于文件的好幾個章節(jié),看似哪兒都需要電力電子,但實際上沒有像集成電路那樣得到系統(tǒng)支持,這不利于形成合力。同時,支持的重點在軌道交通領(lǐng)域用的IGBT、MOSFET等電力電子器件,只是整個產(chǎn)業(yè)非常小的一部分,不到5%。”
不過,肖秘書長也認為,電力電子被納入《中國制造2025》發(fā)展重點是很好的機遇,況且在重點發(fā)展的十大領(lǐng)域中大多數(shù)也需要電力電子,因此,業(yè)界同仁應抓住機遇,堅持“以人為本、創(chuàng)新驅(qū)動、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、轉(zhuǎn)型升級、以質(zhì)取勝、綠色發(fā)展”的思路,共同將電力電子產(chǎn)業(yè)做大做強,為實現(xiàn)“中國制造2025”的戰(zhàn)略目標貢獻自己的一份力量。
嘉興斯達半導體股份有限公司首席執(zhí)行官沈華博士也認為,國家政策支持對于電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常重要,但同時“打鐵還需自身硬”,電力電子企業(yè)要練好內(nèi)功,才能適應市場的發(fā)展。斯達半導體將繼續(xù)加大研發(fā)投入在國家重點支持的技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,同時更為重要的是將已有產(chǎn)品做到極致,滿足客戶更高需求,為客戶創(chuàng)造更大價值。比如,要將用于電動車的600V IGBT模塊做好,并不比做4500V軌道交通用IGBT容易。因為電壓雖不大,但芯片非常薄,工藝要求實際上非常高。